自聚性量子點顯微電性暫態量測研究

Abstract

近年來由於半導體製程技術的快速發展，學術及產業界已能成功地製 備大小在十數奈米以下的量子點結構。由於量子能階和塊材的三維能階的 差異，電子經由量子點的侷限和激發等量子效應使得單電子電晶體及長時 間儲存的記憶元件有商業化的可能，但對於期間的產生－複合機制，甚至 塊材能階對於量子點侷限電子的作用仍僅有少數研究群進行探討。 為了觀察到這些量子點相關的特性，我們將改進原子力顯微鏡系統對 於探針受力回饋的靈敏度，量測侷限在單一個量子點內的電子對於靜電力 或表面電容的影響。再加上原子力顯微鏡可以達到原子級的空間解析度， 我們同時能夠研究量子點形貌以及表面能態對於侷限行為的作用，結合我 們研究群已有的顯微光學量測系統，將可以進行完整的量子點成長及電性 分析，以作為未來運用微結構獨特之性質發展新型奈米光電元件的基礎。 本計劃內容將包含的三個研究主題分述如下： 1. 自聚性量子點成長。 2. 量子點之原子力顯微鏡電性分析。 3. 表面能態對於量子點的影響。