發光二極體結構及其製造方法

Abstract

本發明係提供一種發光二極體(LED)結構，該發光二極體係包含一四族半導體構成之基板，一AlN成核層，形成於該四族基板上，一GaN磊晶層，形成於該AlN成核層上，一分散式布拉格反射鏡(DBR)多層結構，形成於該圖型化之GaN磊晶層上，以及一LED作用層結構，形成於該DBR多層結構上。