發光二極體結構及其製造方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I362769 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張俊彥 | en_US |
| dc.contributor.author | 楊宗熺 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:40Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:40Z | |
| dc.date.issued | 2012-04-21 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明係提供一種發光二極體(LED)結構，該發光二極體係包含一四族半導體構成之基板，一AlN成核層，形成於該四族基板上，一GaN磊晶層，形成於該AlN成核層上，一分散式布拉格反射鏡(DBR)多層結構，形成於該圖型化之GaN磊晶層上，以及一LED作用層結構，形成於該DBR多層結構上。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106017 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 發光二極體結構及其製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |