具有高氮含量氮化鎢蕭特基閘極接觸之ＨＥＭＴ氮化鎵電晶體及其製造方法

Abstract

提供一種具有高氮含量氮化鎢蕭特基閘極接觸之HEMT氮化鎵電晶體，在基底上依序具有氮化鎵層、氮化鋁鎵層、蕭特基閘極以及位於閘極兩側之源極與汲極。其中蕭特基閘極的材料為氮莫耳百分比為0.5之氮化鎢。