標題: | 具有高氮含量氮化鎢蕭特基閘極接觸之HEMT氮化鎵電晶體及其製造方法 |
作者: | 張翼 呂宗育 |
公開日期: | 16-三月-2011 |
摘要: | 提供一種具有高氮含量氮化鎢蕭特基閘極接觸之HEMT氮化鎵電晶體,在基底上依序具有氮化鎵層、氮化鋁鎵層、蕭特基閘極以及位於閘極兩側之源極與汲極。其中蕭特基閘極的材料為氮莫耳百分比為0.5之氮化鎢。 |
官方說明文件#: | H01L029/778 H01L029/812 H01L021/334 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/103632 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 201110344 |
顯示於類別: | 專利資料 |