半導體元件製造方法

Abstract

一種使用微波退火程序的半導體元件製造方法，用以增強一半導體元件之效能，該製造方法至少包含下列步驟：形成一閘極層於一基板上；形成一閘極絕緣層於該閘極層上；形成一主動層於該閘極絕緣層上，且該主動層係由一微波吸收材料所組成，其中該微波吸收材料係由一金屬氧化物、一金屬氮化物以及一金屬氮氧化物群組中所選出；定義一源/汲極於該主動層上，以形成該半導體元件；以及進行一微波退火程序。