半導體元件製造方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I508191 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 劉柏村 | en_US |
| dc.contributor.author | 鄧立峯 | en_US |
| dc.contributor.author | 羅婉柔 | en_US |
| dc.contributor.author | 李耀仁 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-12-04T07:03:33Z | |
| dc.date.available | 2015-12-04T07:03:33Z | |
| dc.date.issued | 2015-11-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種使用微波退火程序的半導體元件製造方法，用以增強一半導體元件之效能，該製造方法至少包含下列步驟：形成一閘極層於一基板上；形成一閘極絕緣層於該閘極層上；形成一主動層於該閘極絕緣層上，且該主動層係由一微波吸收材料所組成，其中該微波吸收材料係由一金屬氧化物、一金屬氮化物以及一金屬氮氧化物群組中所選出；定義一源/汲極於該主動層上，以形成該半導體元件；以及進行一微波退火程序。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/336 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/28 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/128802 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 半導體元件製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |