於半導體上沉積絕緣層的方法及於該沉積之前的表面處理方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201248791 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.contributor.author | 張嘉華 | en_US |
| dc.contributor.author | 林岳欽 | en_US |
| dc.contributor.author | 金 海光 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:01Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:01Z | |
| dc.date.issued | 2012-12-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種於一半導體上沉積一高介電係數氧化層的方法,包括下列步驟,提供該半導體;利用一腐蝕性液體清洗該半導體之一表面;以三甲基鋁對該表面進行表面處裡;以及沉積該高介電係數氧化層於該表面。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/8252 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/314 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/316 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103351 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 於半導體上沉積絕緣層的方法及於該沉積之前的表面處理方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |