於半導體上沉積絕緣層的方法及於該沉積之前的表面處理方法

Abstract

一種於一半導體上沉積一高介電係數氧化層的方法,包括下列步驟,提供該半導體;利用一腐蝕性液體清洗該半導體之一表面;以三甲基鋁對該表面進行表面處裡;以及沉積該高介電係數氧化層於該表面。