於半導體上沉積絕緣層的方法及於該沉積之前的表面處理方法

標題:	於半導體上沉積絕緣層的方法及於該沉積之前的表面處理方法
作者:	張翼張嘉華林岳欽金海光
公開日期:	1-十二月-2012
摘要:	一種於一半導體上沉積一高介電係數氧化層的方法,包括下列步驟,提供該半導體;利用一腐蝕性液體清洗該半導體之一表面;以三甲基鋁對該表面進行表面處裡;以及沉積該高介電係數氧化層於該表面。
官方說明文件#:	H01L021/8252 H01L021/314 H01L021/316
URI:	http://hdl.handle.net/11536/103351
專利國:	TWN
專利號碼:	201248791
顯示於類別：	專利資料

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