| Title: | 於半導體上沉積絕緣層的方法及於該沉積之前的表面處理方法 |
| Authors: | 張翼 張嘉華 林岳欽 金 海光 |
| Issue Date: | 1-Dec-2012 |
| Abstract: | 一種於一半導體上沉積一高介電係數氧化層的方法,包括下列步驟,提供該半導體;利用一腐蝕性液體清洗該半導體之一表面;以三甲基鋁對該表面進行表面處裡;以及沉積該高介電係數氧化層於該表面。 |
| Gov't Doc #: | H01L021/8252 H01L021/314 H01L021/316 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/103351 |
| Patent Country: | TWN |
| Patent Number: | 201248791 |
| Appears in Collections: | Patents |
Files in This Item:
If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.