| 標題: | 於半導體上沉積絕緣層的方法及於該沉積之前的表面處理方法 |
| 作者: | 張翼 張嘉華 林岳欽 金 海光 |
| 公開日期: | 1-Dec-2012 |
| 摘要: | 一種於一半導體上沉積一高介電係數氧化層的方法,包括下列步驟,提供該半導體;利用一腐蝕性液體清洗該半導體之一表面;以三甲基鋁對該表面進行表面處裡;以及沉積該高介電係數氧化層於該表面。 |
| 官方說明文件#: | H01L021/8252 H01L021/314 H01L021/316 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/103351 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 201248791 |
| Appears in Collections: | Patents |
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