新高密度及高速靜態隨機存取記憶細胞元及其記憶系統---設計及製造(I)

Abstract

本研究計畫針對未來極大型高速、高密度 靜態隨機存取記憶系統的發展趨勢,提出一些 新的靜態隨機存取記憶細胞元,並評估其優缺 點.以分年分期的方式,根據次微米至深次微米 金氧半場效電晶體的設計準則,按步就班地由 記憶細胞元的設計、感應放大器、測試鍵的製 造及驗證,至新的極大型積體電路記憶系統的 設計及製造.