新高密度及高速靜態隨機存取記憶細胞元及其記憶系統---設計及製造(I)

標題:	新高密度及高速靜態隨機存取記憶細胞元及其記憶系統---設計及製造(I) New High-Density and High-Speed SRAM Cells and Memory System---Design and Fabrication (I)
作者:	吳慶源國立交通大學電子工程研究所
關鍵字:	靜態隨機存取記憶器;金氧半場效電晶體;記憶細胞元;極大型積體電路;SRAM;MOS;Memory cell;ULSI;VLSI
公開日期:	1995
摘要:	本研究計畫針對未來極大型高速、高密度靜態隨機存取記憶系統的發展趨勢,提出一些新的靜態隨機存取記憶細胞元,並評估其優缺點.以分年分期的方式,根據次微米至深次微米金氧半場效電晶體的設計準則,按步就班地由記憶細胞元的設計、感應放大器、測試鍵的製造及驗證,至新的極大型積體電路記憶系統的設計及製造.
官方說明文件#:	NSC84-2215-E009-021
URI:	http://hdl.handle.net/11536/96579 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=178802&docId=30774
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