深次微米MOSFET穿隧漏電流、鎖定及靜電放電之研究(II)
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穿隧漏電流 , 快閃式記憶體 , 深次微米 , 靜電放電 , 鎖定 , 超大型積體電路 , Tunneling leakage , Flash memory , Deep submicrometer , ESD , Latch-up , VLSI