具有氧化鐠之介電結構、具有氧化鐠之電晶體及其製造方法

Abstract

本發明係揭露一種具有氧化鐠之介電結構、具有氧化鐠之電晶體及其製造方法，該具有氧化鐠之電晶體係至少包含一三五族基板、一閘極介電層及一閘極。其中，閘極介電層係設於三五族基板上，閘極則設於閘極介電層上，而介電層係為氧化鐠（PrxOy）。本發明藉由使用具有高介電係數以及高能隙之氧化鐠（Pr6O11）作為介電層材料，除了有效的抑制漏電流外，更可進一步降低以三五族材料作為基板的元件之等效氧化物厚度（EOT）。