具有氧化鐠之介電結構、具有氧化鐠之電晶體及其製造方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201216363 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.contributor.author | 林岳欽 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:09Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:09Z | |
| dc.date.issued | 2012-04-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明係揭露一種具有氧化鐠之介電結構、具有氧化鐠之電晶體及其製造方法，該具有氧化鐠之電晶體係至少包含一三五族基板、一閘極介電層及一閘極。其中，閘極介電層係設於三五族基板上，閘極則設於閘極介電層上，而介電層係為氧化鐠（PrxOy）。本發明藉由使用具有高介電係數以及高能隙之氧化鐠（Pr6O11）作為介電層材料，除了有效的抑制漏電流外，更可進一步降低以三五族材料作為基板的元件之等效氧化物厚度（EOT）。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/316 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/78 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/336 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103471 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 具有氧化鐠之介電結構、具有氧化鐠之電晶體及其製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |