深次微米MOSFET元件可靠性研究---子計畫二：利用改良式浮動閘極法測量氧化層內缺陷所造成之漏電流與理論分析(II)

Date

Authors

Keywords

深次微米 , 金氧半場效電晶體 , 漏電流 , 浮動閘 , 量子效應 , Deep submicron , MOSFET , Leakage current , Floating gate , Quantum effect

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=396217&docId=69989
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/95068

Collections

研究計畫;;Research Plans