氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究-總計畫(I)
Abstract
本計劃以氧化鋅（ZnO）為材料研究對象，首先由三個分項子計畫獨立地依計畫未
來擬研究之對象，利用摻雜技術對氧化鋅物理與光電性質進行改善與分析，並將利用研
究所得進行薄膜磊晶成長、一維氧化鋅奈米線、零維奈米氧化鋅複合材料等奈米結構之
研製，以應用於半導體光電元件、高功率藍光/白光發光二極體等元件之製作。各子計
畫將藉彼此之交流聯繫，分享研究成果以應用於後續奈米結構與元件之製作。部份子計
畫亦將在研究奈米硒化鎘（CdSe）與釩氧化物半導體摻雜微晶玻璃（SDG）薄膜之結構
與性質，以應用於容積光碟與超解析效應等高階光記錄媒體技術。期望藉本計畫之執
行，對氧化鋅材料應用於光電與光資訊產業與產品技術能有所貢獻，對奈米材料之應用
亦能有所實現。