一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(I)

Date

Authors

Keywords

氮化矽 , 快閃記憶體 , 物理特性 , 電子可抹拭唯讀記憶體 , Silicon nitride , Flash memory , Physical characterization , EEPROM

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665696&docId=126372
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/93431

Collections

研究計畫;;Research Plans