具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I380368 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 李威儀 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳振芳 | en_US |
| dc.contributor.author | 江振豪 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:31Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:31Z | |
| dc.date.issued | 2012-12-21 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法，包括在基板上形成複數成核層；以及 於該成核層上形成非極性三族-氮化物層，其中，各該複數成核層係獨立選自下式(I)之氮化物： AxB1-xN (I) 式中，A和B係選自B、Al、Ga、IN或Tl之不相同的元素，且0≦x≦1。該複數成核層可有效減緩應力、減少晶格位差、阻擋差排延伸並降低差排密度，故可形成表面平坦且結晶品質佳之三族-氮化物層。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/318 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/105936 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |