氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析

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氮化鎵族半導體 , 高功率電子元件 , 高頻 , GaN semiconductor , High power electronic device , High frequency

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=660685&docId=125043
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/93649

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研究計畫;;Research Plans