控制包覆磁性材料之碳基奈米結構製程

Abstract

本發明係一種控制包覆磁性材料之碳基奈米結構製程，係以電子迴旋共振微波電漿沉積法(化學氣相沉積法)，成長包覆磁性材料之碳奈米結構及其後處理時，施以適當的磁場以改進磁性異向性；並以表面具有觸媒和添加物之基材通以直流偏壓源及加熱，做電漿前處理使進行基材表面蝕刻，再使反應氣體進行化學氣相沉積；藉此，達到控制奈米結構材料之尺寸、形狀、形成具方向性排列成長之奈米結構，可有效提高磁記憶媒體之紀錄密度，並具保護隔離效果以避免相互干擾，而且具磁異方性和矯頑磁力高的效果。