電阻式記憶體裝置及其操作方法

Abstract

電阻式記憶體裝置及其操作方法在此揭露。電阻式記憶體裝置包括至少一個電阻式記憶體元件以及控制電路。電阻式記憶體元件包括底電極、非晶態氧化銦鎵鋅(amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)層、鈦層以及頂電極。非晶態氧化銦鎵鋅層配置於底電極上。鈦層配置於非晶態氧化銦鎵鋅層。頂電極配置於鈦層上。控制電路用以提供電訊號給電阻式記憶體元件,以改變電阻式記憶體元件的電阻値。