| 標題: | 電阻式記憶體裝置及其操作方法 |
| 作者: | 劉柏村 許沁卉 范揚順 |
| 公開日期: | 16-五月-2014 |
| 摘要: | 電阻式記憶體裝置及其操作方法在此揭露。電阻式記憶體裝置包括至少一個電阻式記憶體元件以及控制電路。電阻式記憶體元件包括底電極、非晶態氧化銦鎵鋅(amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)層、鈦層以及頂電極。非晶態氧化銦鎵鋅層配置於底電極上。鈦層配置於非晶態氧化銦鎵鋅層。頂電極配置於鈦層上。控制電路用以提供電訊號給電阻式記憶體元件,以改變電阻式記憶體元件的電阻値。 |
| 官方說明文件#: | G11C013/00 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/106553 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 201419279 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
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