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高電子移動度トランジスタの構造、その構造を含んだデバイス及びその製造方法

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dc.citation.patentcountryJPNzh_TW
dc.citation.patentnumber2011082332zh_TW
dc.contributor.author張 翼en_US
dc.contributor.author▲呉▼ 雲驥en_US
dc.contributor.author林 岳欽en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:16:24Z
dc.date.available2014-12-16T06:16:24Z
dc.date.issued2011-04-21en_US
dc.description.abstract【課題】ＭＭＩＣのＳＰＤＴスイッチなど、半導体デバイスとして用いるのに適したＭＯＳ－ＰＨＥＭＴの構造及びその製造方法を開示する。【解決手段】ＭＯＳ－ＰＨＥＭＴ構造は、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３及びＺｒＯ２からなる群から選ばれる材料からなるゲート誘電体層107を有することを特徴とし、これにより、このＭＯＳ－ＰＨＥＭＴの構造を含む、高周波スイッチデバイスなどの半導体構造が、直流電流の損失及び挿入損失の低下を防ぎ、隔絶性を向上させることができる。【選択図】図１Ｅzh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/812zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/778zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/338zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/78zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/28zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/417zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/49zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/423zh_TW
dc.identifier.urihttps://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/105822
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title高電子移動度トランジスタの構造、その構造を含んだデバイス及びその製造方法zh_TW
dc.typePatentsen_US

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