高電子移動度トランジスタの構造、その構造を含んだデバイス及びその製造方法

Abstract

【課題】ＭＭＩＣのＳＰＤＴスイッチなど、半導体デバイスとして用いるのに適したＭＯＳ－ＰＨＥＭＴの構造及びその製造方法を開示する。【解決手段】ＭＯＳ－ＰＨＥＭＴ構造は、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３及びＺｒＯ２からなる群から選ばれる材料からなるゲート誘電体層107を有することを特徴とし、これにより、このＭＯＳ－ＰＨＥＭＴの構造を含む、高周波スイッチデバイスなどの半導体構造が、直流電流の損失及び挿入損失の低下を防ぎ、隔絶性を向上させることができる。【選択図】図１Ｅ