| 標題: | 高電子移動度トランジスタの構造、その構造を含んだデバイス及びその製造方法 |
| 作者: | 張 翼 ▲呉▼ 雲驥 林 岳欽 |
| 公開日期: | 21-四月-2011 |
| 摘要: | 【課題】ＭＭＩＣのＳＰＤＴスイッチなど、半導体デバイスとして用いるのに適したＭＯＳ－ＰＨＥＭＴの構造及びその製造方法を開示する。【解決手段】ＭＯＳ－ＰＨＥＭＴ構造は、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３及びＺｒＯ２からなる群から選ばれる材料からなるゲート誘電体層107を有することを特徴とし、これにより、このＭＯＳ－ＰＨＥＭＴの構造を含む、高周波スイッチデバイスなどの半導体構造が、直流電流の損失及び挿入損失の低下を防ぎ、隔絶性を向上させることができる。【選択図】図１Ｅ |
| 官方說明文件#: | H01L029/812 H01L029/778 H01L021/338 H01L029/78 H01L021/28 H01L029/417 H01L029/49 H01L029/423 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/105822 |
| 專利國: | JPN |
| 專利號碼: | 2011082332 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
