一種具有非晶態金屬氧化物之組成物的電阻式記憶體、電阻式記憶體單元及薄膜電晶體

Abstract

本發明揭露一種具有非晶態金屬氧化物之組成物的電阻式記憶體、電阻式記憶體單元及薄膜電晶體，該組成物係包括：氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(SnO2)以及氧化鋁(Al2O3)。因本發明之該組成物不含銦與鎵元素，故可有效地減少銦鎵元素消耗，並且藉由該組成物可降低電阻式記憶體之漏電流，以及可於低溫製程下製造電阻式記憶體及薄膜電晶體，藉以提升產品競爭力。