一種具有非晶態金屬氧化物之組成物的電阻式記憶體、電阻式記憶體單元及薄膜電晶體
| dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 201724368 | en_US |
| dc.contributor.author | 劉柏村 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 范揚順 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張哲嘉 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T05:58:37Z | |
| dc.date.available | 2019-04-11T05:58:37Z | |
| dc.date.issued | 2017-07-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明揭露一種具有非晶態金屬氧化物之組成物的電阻式記憶體、電阻式記憶體單元及薄膜電晶體，該組成物係包括：氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(SnO2)以及氧化鋁(Al2O3)。因本發明之該組成物不含銦與鎵元素，故可有效地減少銦鎵元素消耗，並且藉由該組成物可降低電阻式記憶體之漏電流，以及可於低溫製程下製造電阻式記憶體及薄膜電晶體，藉以提升產品競爭力。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/8239 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/12 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | G11C013/00 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/151378 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 一種具有非晶態金屬氧化物之組成物的電阻式記憶體、電阻式記憶體單元及薄膜電晶體 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |