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利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法
利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法
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I384534.pdf
(1.63 MB)
Date
2013-02-01
Authors
張志榜
吳耀銓
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
DOI
Abstract
本發明提供一種利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法,其係利用一含氟離子之電漿對此金屬誘發側向結晶層進行蝕刻,以移除金屬誘發側向結晶層上殘留的金屬成分,並使氟離子進入金屬誘發側向結晶層,進行缺陷的鈍化,以改善金屬誘發側向結晶層特性,使得後續薄膜電晶體完成後,能具有高品質與高可靠度。
Description
Keywords
Citation
URI
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/105907
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