標題: 利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法
作者: 張志榜
吳耀銓
公開日期: 1-二月-2013
摘要: 本發明提供一種利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法,其係利用一含氟離子之電漿對此金屬誘發側向結晶層進行蝕刻,以移除金屬誘發側向結晶層上殘留的金屬成分,並使氟離子進入金屬誘發側向結晶層,進行缺陷的鈍化,以改善金屬誘發側向結晶層特性,使得後續薄膜電晶體完成後,能具有高品質與高可靠度。
官方說明文件#: H01L021/20
URI: http://hdl.handle.net/11536/105907
專利國: TWN
專利號碼: I384534
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. I384534.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。