標題: | 利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法 |
作者: | 張志榜 吳耀銓 |
公開日期: | 1-Feb-2013 |
摘要: | 本發明提供一種利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法,其係利用一含氟離子之電漿對此金屬誘發側向結晶層進行蝕刻,以移除金屬誘發側向結晶層上殘留的金屬成分,並使氟離子進入金屬誘發側向結晶層,進行缺陷的鈍化,以改善金屬誘發側向結晶層特性,使得後續薄膜電晶體完成後,能具有高品質與高可靠度。 |
官方說明文件#: | H01L021/20 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/105907 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | I384534 |
Appears in Collections: | Patents |
Files in This Item:
If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.