具有反向短通道效應N型MOS元件性能及可靠性的研究

Date

Authors

Keywords

反向短通道效應 , 臨限電壓 , 次微米元件 , 金氧半導體 , Reverse short-channel effect , Threshold voltage , Submicron device , MOS

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234658&docId=43079
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/96138

Collections

研究計畫;;Research Plans