整合MBE與MOCVD磊晶技術於三族氮化物高頻功率電晶體磊晶結構之開發(III)

Date

Authors

Keywords

再成長界面 , 氮化處理 , 氮化鋁鎵 , 分子數磊晶 , Regrowth Interface , nitridation , AlGaN/GaN , MBE

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2158511&docId=347364
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/100763

Collections

研究計畫;;Research Plans