整合MBE與MOCVD磊晶技術於三族氮化物高頻功率電晶體磊晶結構之開發(III)

標題:	整合MBE與MOCVD磊晶技術於三族氮化物高頻功率電晶體磊晶結構之開發(III) Development of the III-Nitride High Power High Frequency HEMT Structures Grown by Integration of MBE and MOCVD Technologies (III)
作者:	張俊彥 CHANG CHUN-YEN 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
關鍵字:	再成長界面;氮化處理;氮化鋁鎵;分子數磊晶;Regrowth Interface;nitridation;AlGaN/GaN;MBE
公開日期:	2010
官方說明文件#:	NSC99-2221-E009-001
URI:	http://hdl.handle.net/11536/100763 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2158511&docId=347364
顯示於類別：	研究計畫