高密度電子構裝接合與測試載具之開發---銅接合可靠度提升之研究---以氮化鈦為界面接層之銅電遷移現象之研究(I)

Date

Authors

Keywords

銅金屬化 , 電子構裝 , 擴散障礙層 , 電子遷移 , Cu metallization , Electronic package , Difussion barrier layer , Electromigration

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=271898&docId=48498
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/95418

Collections

研究計畫;;Research Plans