高密度電子構裝接合與測試載具之開發---銅接合可靠度提升之研究---以氮化鈦為界面接層之銅電遷移現象之研究(I)

標題:	高密度電子構裝接合與測試載具之開發---銅接合可靠度提升之研究---以氮化鈦為界面接層之銅電遷移現象之研究(I) Enhanced Cu Interconnection Reliability --- Electromigration of Cu with TiN as Interfacial Bonding Layer(I)
作者:	邱碧秀 CHIOU BI-SHIOU 交通大學電子工程研究所
關鍵字:	銅金屬化;電子構裝;擴散障礙層;電子遷移;Cu metallization;Electronic package;Difussion barrier layer;Electromigration
公開日期:	1997
官方說明文件#:	NSC86-2221-E009-062
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95418 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=271898&docId=48498
顯示於類別：	研究計畫