具銅金屬化之複合物半導體元件

Abstract

本發明係為一具銅金屬化之複合物半導體元件，結構為異質接面雙載子電晶體(HBT)結構，當基板為砷化鎵基板時，其歐姆接觸層之材料為鈀/緒/氮化鎢/銅或鉑/鈦/鉑/銅，而金屬連接線為鈦/鉑/銅；若基板為磷化銦基板時，歐姆接觸層之材料為鈦/鉑/銅或鉑/鈦/鉑/銅，金屬連接線為鈦/鉑/銅，藉由具有較佳散熱特性之銅取代金，可增加其散熱效果，進而增加元件的可靠度。