| 標題: | 具銅金屬化之複合物半導體元件 |
| 作者: | 張翼 張尚文 李承士 |
| 公開日期: | 1-五月-2006 |
| 摘要: | 本發明係為一具銅金屬化之複合物半導體元件，結構為異質接面雙載子電晶體(HBT)結構，當基板為砷化鎵基板時，其歐姆接觸層之材料為鈀/緒/氮化鎢/銅或鉑/鈦/鉑/銅，而金屬連接線為鈦/鉑/銅；若基板為磷化銦基板時，歐姆接觸層之材料為鈦/鉑/銅或鉑/鈦/鉑/銅，金屬連接線為鈦/鉑/銅，藉由具有較佳散熱特性之銅取代金，可增加其散熱效果，進而增加元件的可靠度。 |
| 官方說明文件#: | H01L021/8258 H01L021/8258 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/106334 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | I254419 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
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