完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.contributor.author | 張尚文 | en_US |
| dc.contributor.author | 李承士 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:17Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:17Z | - |
| dc.date.issued | 2006-05-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/8258 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/8258 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106334 | - |
| dc.description.abstract | 本發明係為一具銅金屬化之複合物半導體元件，結構為異質接面雙載子電晶體(HBT)結構，當基板為砷化鎵基板時，其歐姆接觸層之材料為鈀/緒/氮化鎢/銅或鉑/鈦/鉑/銅，而金屬連接線為鈦/鉑/銅；若基板為磷化銦基板時，歐姆接觸層之材料為鈦/鉑/銅或鉑/鈦/鉑/銅，金屬連接線為鈦/鉑/銅，藉由具有較佳散熱特性之銅取代金，可增加其散熱效果，進而增加元件的可靠度。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 具銅金屬化之複合物半導體元件 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I254419 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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