氮化鋁疏水薄膜結構與製造方法及其在有機薄膜電晶體之應用
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200839392 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 顏國錫 | en_US |
| dc.contributor.author | 冉曉雯 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃振昌 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳建勳 | en_US |
| dc.contributor.author | 葉峻銘 | en_US |
| dc.contributor.author | 劉薄寬 | en_US |
| dc.contributor.author | 古國欣 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:59Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:59Z | |
| dc.date.issued | 2008-10-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種氮化鋁疏水薄膜結構與製造方法及其在有機薄膜電晶體之應用,乃提出具有高疏水性的氮化鋁薄膜,其具有高的水滴接觸角以及低的表面能,而利於成長疏水性薄膜,構成良好匹配之氮化鋁疏水薄膜結構,並適合作為有機薄膜電晶體的閘極介電層,以降低疏水性有機半導體薄膜與氧化鋁薄膜之間的介面缺陷,且兼具低閘極漏電及高介電係數等特質。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | G02F001/136 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/786 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103951 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 氮化鋁疏水薄膜結構與製造方法及其在有機薄膜電晶體之應用 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |