製作低溫450℃複晶矽薄膜電晶體之關鍵技術---主動層(Active Layer)及源/汲接面(Junction)之研製

Date

Authors

CHENG HUANG-CHUNG

Keywords

複晶矽薄膜電晶體 , 主動層 , 低溫 , 準分子雷射 , 摻雜 , 退火 , Polysilicon TFT , Active layer , Low-temperature , Excimer laser , Doping , Annealing

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=428954&docId=76772
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94386

Collections

研究計畫;;Research Plans