記憶體結構及其製備方法

Abstract

一種記憶體結構，包含一控制單元以及一記憶單元電性連接至控制單元。控制單元包含一源極與一汲極；一主動層，接觸源極之一部分及汲極之一部分；一閘極層；以及一閘極絕緣層，位於主動層與閘極層之間。記憶單元包含一底電極層；一頂電極層；以及一電阻切換層，電阻切換層位於底電極層以及頂電極層之間，其中電阻切換層與主動層之材質為氧化鋁鋅錫。