記憶體結構及其製備方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201611243 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 劉柏村 | en_US |
| dc.contributor.author | 范揚順 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳鈞罄 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2016-12-20T05:04:17Z | |
| dc.date.available | 2016-12-20T05:04:17Z | |
| dc.date.issued | 2016-03-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種記憶體結構，包含一控制單元以及一記憶單元電性連接至控制單元。控制單元包含一源極與一汲極；一主動層，接觸源極之一部分及汲極之一部分；一閘極層；以及一閘極絕緣層，位於主動層與閘極層之間。記憶單元包含一底電極層；一頂電極層；以及一電阻切換層，電阻切換層位於底電極層以及頂電極層之間，其中電阻切換層與主動層之材質為氧化鋁鋅錫。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/115 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/28 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/132259 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 記憶體結構及其製備方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |