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Browsing by Author "CHEN MING-JER"

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    低功率低電壓數位及類比積體電路之晶片實現及設計法則
    (1996)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程學系
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    低功率低電壓數位及類比積體電路之晶片實現及設計法則(IV)
    (1999)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    交通大學電子工程研究所
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    低功率低電壓數位及類比積體電路之晶片實現及設計法則(VI)
    (2000)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程學系
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    場效電晶體微縮至3奈米技術點的長距庫倫效應研究
    (2016)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    場效電晶體微縮至3奈米技術點的長距庫倫效應研究
    (2015)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    奈米CMOS通道背向散射實驗及其潛在性應用之研究(I)
    (2005)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    交通大學電子工程系
    本計劃為期三年，進行通道背向散射實驗並找到在奈米場效電晶體上的應用。第一年 建立通道背向散射實驗之核心： (1) 一維解薛丁格-浦以松方程式量子力學模擬器以從電容電 壓數據粹取製程參數， 藉由此得到在開始的KBT 層中的平均熱入射速度, 等效閘電容和近似 於平衡臨界電壓; (2) 次臨界 DIBL 量測以有效計入二維效應的影響; (3) 利用比例與位移方法 估計源極/集極的串聯電阻和通道或閘極的長度; (4) 利用近似於平衡的遷移率量測， 去量化橫 跨KBT 層的背向散射自由平均路徑; (5) 利用電流電壓擬似法決定KBT 層的寬度; 最後， (6) 利用機率和統計知識、微觀傳輸物理、解浦以松方程式和蒙地卡羅模擬，有系統的去處理與證 明所粹取出來的KBT 層寬度和他們的物理意義及製程關鍵指引。 據此實驗核心， 我們進行： (1) 通道背向散射實驗應用於Bulk 奈米場效電晶體測試晶片; (2) Bulk 奈米場效電晶體雜訊實 驗並與通道背向散射數據相關性探討; 以及(3) Bulk 奈米場效電晶體介觀物理理解、特性分析 （經由機率和統計處理）、簡潔元件模型、元件製造關鍵和設計規範之建立。 第二年繼續前一 年的研究， 同時進行的新增項目為：(1) 一維解薛丁格-浦以松方程式量子力學模擬器的矽變 形場效電晶體版本; (2) 通道背向散射實驗應用於矽變形場效電晶體測試晶片; (3) 介觀物理理 解、特性分析、簡潔元件模型、元件製造關鍵和設計規範 (考慮自我熱效應的現象)之建立; 以 及 (4) 矽變形場效電晶體通道背向散射實驗數據與雜訊實驗數據相關性探討。 第三年繼續前 兩年的研究，同時進行的新增項目為： (1) 雙倍式閘極場效電晶體通道背向散射實驗之二維非 平衡Green 函數模擬; (2) 一維解薛丁格-浦以松方程式量子力學模擬器鍺版本的撰寫; (3) 雙倍 式閘極場效電晶體及鍺通道奈米場效電晶體的測試晶片通道背向散射實驗; (4) 雙倍式閘極場 效電晶體及鍺通道奈米場效電晶體介觀物理理解、特性分析、簡潔元件模型、元件製造關鍵和 設計規範之建立; 以及 (5) 雙倍式閘極場效電晶體及鍺通道奈米場效電晶體通道背向散射實 驗數據與雜訊實驗數據相關性探討。
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    奈米CMOS通道背向散射實驗及其潛在性應用之研究(II)
    (2006)
    陳明哲
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    交通大學電子工程系
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    奈米CMOS通道背向散射實驗及其潛在性應用之研究(III)
    (2007)
    陳明哲
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    平面及鰭狀場效電晶體高階奈米缺陷統計物理模式：隨機電報雜訊和偏壓溫度不穩度
    (2015)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    平面及鰭狀場效電晶體高階奈米缺陷統計物理模式：隨機電報雜訊和偏壓溫度不穩度
    (2016)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    抑制深次微米金氧半電晶體中能帶間穿隧漏電流引致性能劣化之設計規範
    (1995)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程研究所
    本計畫將以一年時間全力投注於攸關深次 微米金氧半元件技術可靠性的重要課題:穿隧 引致漏電流及其衍生性能劣化,以強化研究深 度、建立完整理論架構、實驗驗證,並提出量 化之設計規範以抑制此問題.理論架構涵蓋了 二維模擬漏電流解析式物理模式及性能劣化解 析式物理導向經驗公式,量測範圍在不同Stress 時間、不同高低溫、不同偏壓及不同脈衝條件 下為之,所量測的測試鍵涵蓋了不同閘氧化層 厚度,不同汲極結構及不同n/sup +/及p/sup +/攙雜 閘極層等,利用受到強力實驗支持的解析式漏 電流物理模式及性能劣化解析式物理導向經驗 公式,量化之設計規範將被提出以抑制在深次 微米金氧半元件中穿隧引致漏電流過大及其造 成性能劣化之問題.
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    次10奈米平面及非平面場效電晶體之通道非平衡效應: 實驗及模擬
    (2012)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    未來五年全球半導體工業（包括台積電）製程技術特性長度將迅速轉至十奈米以下，且 元件結構通道材料等將面臨歷史上重大轉折。在這關鍵時刻，我們向國科會提出一個 三年計晝，主要銜接先前研究成果，從一關鍵點切入：通道非平衡現象行為，由此延 伸其對十奈米以下元件特性之影響。三年内將進行下列項目：（1)萃取更多的通道非平 衡現象實驗證據，並發展出用於通道非平衡現象之背向散射模式。（2)將通道非平衡物 理模式加入自行建立的量子力學模擬器，能正確處理通道非平衡現象等並能與自行量 測及文獻數據比較吻合。（3)將通道非平衡物理模式與計算機補助設計技術整合，以預 測電流電壓特性並與自行量測及文獻數據比較吻合。（4)目標元件包含十奈米以下鰭 狀及平面場效電晶體，後者可為傳統及非傳統結構者。以及（5)最後實際展示次十奈米 之鰭狀場效電晶體最佳結構，次十奈米之傳統平面場效電晶體最佳結構，和次十奈米 之非傳統平面場效電晶體最佳結構。
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    次10奈米平面及非平面場效電晶體之通道非平衡效應: 實驗及模擬
    (2013)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    未來五年全球半導體工業（包括台積電）製程技術特性長度將迅速轉至十奈米以下，且 元件結構通道材料等將面臨歷史上重大轉折。在這關鍵時刻，我們向國科會提出一個 三年計晝，主要銜接先前研究成果，從一關鍵點切入：通道非平衡現象行為，由此延 伸其對十奈米以下元件特性之影響。三年内將進行下列項目：（1)萃取更多的通道非平 衡現象實驗證據，並發展出用於通道非平衡現象之背向散射模式。（2)將通道非平衡物 理模式加入自行建立的量子力學模擬器，能正確處理通道非平衡現象等並能與自行量 測及文獻數據比較吻合。（3)將通道非平衡物理模式與計算機補助設計技術整合，以預 測電流電壓特性並與自行量測及文獻數據比較吻合。（4)目標元件包含十奈米以下鰭 狀及平面場效電晶體，後者可為傳統及非傳統結構者。以及（5)最後實際展示次十奈米 之鰭狀場效電晶體最佳結構，次十奈米之傳統平面場效電晶體最佳結構，和次十奈米 之非傳統平面場效電晶體最佳結構。
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    次10奈米平面及非平面場效電晶體之通道非平衡效應：實驗及模擬
    (2014)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    未來五年全球半導體工業（包括台積電）製程技術特性長度將迅速轉至十奈米以下，且 元件結構通道材料等將面臨歷史上重大轉折。在這關鍵時刻，我們向國科會提出一個 三年計晝，主要銜接先前研究成果，從一關鍵點切入：通道非平衡現象行為，由此延 伸其對十奈米以下元件特性之影響。三年内將進行下列項目：（1)萃取更多的通道非平 衡現象實驗證據，並發展出用於通道非平衡現象之背向散射模式。（2)將通道非平衡物 理模式加入自行建立的量子力學模擬器，能正確處理通道非平衡現象等並能與自行量 測及文獻數據比較吻合。（3)將通道非平衡物理模式與計算機補助設計技術整合，以預 測電流電壓特性並與自行量測及文獻數據比較吻合。（4)目標元件包含十奈米以下鰭 狀及平面場效電晶體，後者可為傳統及非傳統結構者。以及（5)最後實際展示次十奈米 之鰭狀場效電晶體最佳結構，次十奈米之傳統平面場效電晶體最佳結構，和次十奈米 之非傳統平面場效電晶體最佳結構。
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    次微米互補式金氧半靜電放電及鎖定之實驗研究及防制
    (1996)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程學系
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    次臨界 CMOS 類比微功率積體電路及高速高精確MOS取樣保存電路之研製
    (1995)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    國立交通大學電子工程研究所
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    深次微米MOSFET穿隧漏電流、鎖定及靜電放電之研究
    (1999)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    交通大學電子工程研究所
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    深次微米MOSFET穿隧漏電流、鎖定及靜電放電之研究(II)
    (2000)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    交通大學電子工程研究所
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    矽奈米場效電晶體及氧化層奈米線---理論, 實驗及應用潛力(III)
    (2004)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    交通大學電子工程研究所
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    矽奈米場效電晶體及氧化層奈米線---理論、實驗及應用潛力(I)
    (2002)
    陳明哲
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    CHEN MING-JER
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    交通大學電子工程研究所