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Item type:Item, KU頻帶微波低損耗,高穿透陶瓷材料研製(2001) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程研究所Item type:Item, S頻帶微波低損耗高穿透陶瓷材料研製(2002) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU交通大學電子工程研究所Item type:Item, 「中華衛星一號」日地物理酬載儀器發展執行計畫之先期作業計畫(1994) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU交通大學Item type:Item, 多晶片模組之基板製成與晶片接合技術的研究(1994) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程研究所以多層聯線結構(Multilayer interconnection structure)為基礎的多晶片模組(Multi-chip module, MCM )構裝技術為近年來世界各先進電子工業國家 為了突破傳統的構裝與聯線方法所存在的限制 ,以提高積體電路之密度,增進電子產品運作的 功能、速度與可靠度,同時縮小其體積與重量, 全力開發的新型電子構裝技術.MCM構裝技術包 括含有多層聯線結構的基板製作(Substrate fabrication)及晶元接合(Chip interconnection)兩大部 分,本計畫的目的在探討MCM構裝,基板製程技術, 其研究之重點包括金屬薄膜傳導結構之製備及 翻轉式晶片接合及低溫製備高導熱介質膜之技 術.並以此方面之研究為主旨,規劃一個重點實 驗室,希望能結合國內電子、化學、物理及材 料科學的專長,對電子構裝技術之研究開發展 有所貢獻.Item type:Item, 多晶片模組之基板製成與晶片接合技術的研究---子計畫一:焊錫接點熱疲乏斷裂之研究---錫-鉛焊錫(I)(1995) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程學系隨著電子產品的輕、薄、短小化,構裝技術 必須相對地提昇.翻轉式晶片接合法為近年來 微電子接合技術之重要突破之一.翻轉式晶片 接合技術之成功要件在於製備具高可靠度之銲 錫凸塊.本計畫擬研究焊錫之應力/應變遲滯反 應及斷裂行為.以實驗方式實際測量銲錫在不 同熱循環下之應力/應變曲線及潛變行為,分析 銲錫接點斷裂面之微觀結果,並配合有限元素 法之分析,以建立銲錫接點熱疲乏斷裂之理論 模式.Item type:Item, 多晶片模組之基板製程與晶片接合技術的研究---總計畫(1995) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程學系以多層聯線結構(Multilayer interconnection structure)為基礎的多晶片模組(Multi-chip module, MCM )構裝技術為近年來世界各先進電子工業國家 為了突破傳統的構裝與聯線方法所存在的限制 ,以提高積體電路之密度,增進電子產品運作的 功能、速度與可靠度,同包括含有多層聯線結 構的基板製作(Substratefabrication)及晶元時縮小 其體積與重量,全力開發的新型電子構裝技術. MCM構裝技術接合(Chip interconnection)兩大部分,本 計畫的目的在探討MCM構裝,基板製程技術,其研 究之重點包括金屬薄膜傳導結構之製備及翻轉 式晶片接合技術.並以此方面之研究為主旨,規 劃一個重點實驗室,希望能結合國內電子、化 學、物理及材料科學的專長,對電子構裝技術 之研究開發有所貢獻.Item type:Item, 多晶片模組之翻轉式晶片接合技術(1994) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程研究所隨著電子產品之輕薄、短、小化,構裝技術 必須相對地提昇,翻轉式晶片接合法為近年來 微電子接合技術之重要突破之一.翻轉式晶片 接合技術之成功要件為在輸出入接點及焊錫間 提供適當的冶金條件,包括擴散障壁層、黏合 層、鋁墊及焊錫間之可容性.本計畫擬研究多 晶片模組之翻轉式晶片接合技術,包括焊錫凸 塊及其下之多層金屬層之製程、鉛-錫之Reflow 現象及各層物質之相互作用等,以期建立翻轉 式晶片接合之理想製程.Item type:Item, 子高性能材料之銲接與修補製程最佳化研究---計畫二:銅接合--低介電材料介電層之界面可靠度提升研究(II)(2000) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 戰機座艙罩雷達波隱形技術研發(2000) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU交通大學電子物理研究所Item type:Item, 戰機座艙罩雷達波隱形施工技術之研究(II)(2000) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU交通大學電子工程研究所Item type:Item, 系統封裝基板之關鍵技術研究(2004) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU交通大學電子工程系本計劃將研究系統封裝基板的關鍵技術。包含: (1)基板設計與製造整合;(2)電性 模擬,量測與可靠度提升。在系統封裝基板方面,我們對內藏式被動元件系統做先期 的電路設計與電路模擬。電路的模擬可以針對電阻的電阻率以及電阻和電容的幾何結 構做考量與設計。當內藏式被動元件系統整合了低介電材料系統之後,我們可以就系 統封裝基板做電性量測,驗證,分析以及可靠度的分析與提升。經由本計畫的執行, 我們將會探討系統封裝內被動元件系統的I-V,C-V 的電性分析與可靠度分析,以及進 一步的提升系統封裝基板的效能。計劃內容包括: 1. 內藏式電阻與內藏式電容之製作與製程步驟相容性分析。 2. 低介電材料之評估與製備。 3. 系統封裝內的被動元件整合。 4. 建構一系統封裝基板。 5. 系統封裝基板的電性量測,分析與探討。Item type:Item, 系統封裝關鍵技術研究---具內藏式被動元件之高頻電壓控制振盪器測試載具的研究(2006) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU交通大學電子工程系本計畫將內藏於基板之高頻電壓控制震盪器為測試載具,研究系統封 裝之關鍵技術,包括:(1)導線連接製程與低介電材料之製程整合;(2)高介 電材料內藏式電容製程與製程最佳化,本研究選擇BaxSr1-xTiO3 系統與 Ca0.25Cu0.75TiO3 系統作為研究的高介電材料;(3)鍍製奈米層改善內藏式電 容特性,並作物理機制探討;(4)內藏式被動元件製程與導線連接系統製程 整合,並作可靠度的探討;(5)高頻電性之量測、模擬及分析;(6)以電壓控 制震盪器作為測試載具,完成內藏式高頻電路的開發及製程的最佳化。計 畫內容包括: 1. 低介電材料與導線系統之整合研究 2. 內藏式被動元件之製作與製程最佳化 3. 奈米層之鍍製對於內藏式電容特性之影響與製程最佳化 4. 內藏式被動元件與導線系統製程整合 5. 內藏式被動元件/低介電材料/基板間之介面反應及其對可靠度影響之 研究 6. 以電壓控制震盪器作為測試載具,達成內藏被動元件之整合型基板製 程最佳化Item type:Item, 紅外線尋標視窗隱形施工技術之研究(1999) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程研究所Item type:Item, 紅外線視窗微波反射率研究(1998) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU交通大學電子工程系Item type:Item, 覆加銅層之厚膜銀基導體研究(1995) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程研究所Item type:Item, 軟質鐵氧磁體之介電損失(1995) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程研究所Item type:Item, 鈦酸鋇積體陶瓷可行性之研究(1996) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 鈦酸鍶鋇-橡膠複合物作為微波吸收材料可行性之研究(1997) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU交通大學電子工程研究所Item type:Item, 銅與低介電材料介電層之系統整合及可靠度提升研究(I)(2002) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU交通大學電子工程系Item type:Item, 銅與低介電材料介電層之系統整合及可靠度提升研究(II)(2003) ;邱碧秀 ;CHIOU BI-SHIOU國立交通大學電子工程學系