Browsing by Author "HSIEH TSUNG-EONG"
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Item type:Item, EFTEM對含鉍的銅雙晶界面原子結構之研究(I)(1994) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學工程研究所Item type:Item, EFTEM對含鉍的銅雙晶界面原子結構之研究(I)(1995) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學工程研究所Item type:Item, GeSbTe薄膜之摻雜、電性質分析及其應用於相變化記憶體(PRAM)元件之研究(2008) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學與工程學系(所)相變化記憶體(PRAM)兼顧高速存取以及非揮發性的兩項重要特性,且具有非破 壞讀取、可直接覆寫、長時間儲存資料、高讀取訊號、低消耗電流及功率、多階儲存、 單位記憶容量大及製作成本低等優點,被視為是取代現有DRAM 與Flash 的次世代記憶 體。本計劃以敝實驗室既往對相變化材料與光記錄媒體之研究為基礎,規劃此一多年期 之PRAM 研究計畫,其自鍺-銻-碲(GeSbTe)相變化薄膜之濺鍍製備著手,量測其電、 光、熱性質,並以摻雜進行薄膜性質之改善研究,研究所得接著導入PRAM 元件模擬、 製作與靜態/動態測試等電性與覆寫性質分析,以期建立一最佳化PRAM 材料與元件製 程技術。Item type:Item, GeSbTe薄膜之摻雜、電性質分析及其應用於相變化記憶體(PRAM)元件之研究(2010) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學與工程學系(所)相變化記憶體(PRAM)兼顧高速存取以及非揮發性的兩項重要特性,且具有非破 壞讀取、可直接覆寫、長時間儲存資料、高讀取訊號、低消耗電流及功率、多階儲存、 單位記憶容量大及製作成本低等優點,被視為是取代現有DRAM 與Flash 的次世代記憶 體。本計劃以敝實驗室既往對相變化材料與光記錄媒體之研究為基礎,規劃此一多年期 之PRAM 研究計畫,其自鍺-銻-碲(GeSbTe)相變化薄膜之濺鍍製備著手,量測其電、 光、熱性質,並以摻雜進行薄膜性質之改善研究,研究所得接著導入PRAM 元件模擬、 製作與靜態/動態測試等電性與覆寫性質分析,以期建立一最佳化PRAM 材料與元件製 程技術。Item type:Item, GeSbTe薄膜之摻雜、電性質分析及其應用於相變化記憶體(PRAM)元件之研究(2009) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學與工程學系(所)相變化記憶體(PRAM)兼顧高速存取以及非揮發性的兩項重要特性,且具有非破 壞讀取、可直接覆寫、長時間儲存資料、高讀取訊號、低消耗電流及功率、多階儲存、 單位記憶容量大及製作成本低等優點,被視為是取代現有DRAM 與Flash 的次世代記憶 體。本計劃以敝實驗室既往對相變化材料與光記錄媒體之研究為基礎,規劃此一多年期 之PRAM 研究計畫,其自鍺-銻-碲(GeSbTe)相變化薄膜之濺鍍製備著手,量測其電、 光、熱性質,並以摻雜進行薄膜性質之改善研究,研究所得接著導入PRAM 元件模擬、 製作與靜態/動態測試等電性與覆寫性質分析,以期建立一最佳化PRAM 材料與元件製 程技術。Item type:Item, 以凝膠法製備低介電係數材料之研究(2000) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG交通大學材料科學與工程系Item type:Item, 低維度硫族合金之電遷移與擴散行為研究(2015) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學與工程學系(所)Item type:Item, 低維度硫族合金之電遷移與擴散行為研究(2014) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學與工程學系(所)Item type:Item, 光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫VI:光記錄媒體材料、性質及其應用於光碟記錄容量提升之研究(I)(2002) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG交通大學材料科學與工程系Item type:Item, 光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫VI:光記錄媒體材料、性質及其應用於光碟記錄容量提升之研究(II)(2003) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學與工程學系Item type:Item, 光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫六:光記錄媒體材料、性質及其應用於光碟記錄容量提升之研究(III)(2004) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG交通大學材料科學與工程系Item type:Item, 半導體-絕緣體-半導體(SIS)異質接面結構應用於光檢測器製備之研究(2016) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學與工程學系(所)Item type:Item, 半導體-絕緣體-半導體(SIS)異質接面結構應用於光檢測器製備之研究(2015) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學與工程學系(所)Item type:Item, 多晶片模組之基板製成與晶片接合技術的研究 ---子計畫一:有機金屬薄膜在聚亞醯銨上性質之研究(1994) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學工程研究所本研究計畫之目的在研發一種新的多晶片 模組(Multichipmodule, MCM)構裝系統,即有機金屬薄 膜-聚亞醯銨(Metall-organicdeposition-polyimide,簡稱 MOD-PI)之MCM多層結構,希望藉研究此系統之基本 物理性質,以期發展出結合傳統厚膜之低成本 製程與高密度MCM-D(通常指Cu-polyimide system)之優 點,來得到符合最大經濟利益之新型製程技術. 本計畫主要研究重點在瞭解MOD膜在PI上燒結之 特性,包括鍵結後金屬薄膜微結構之觀察及分析、MOD-PI間應力、黏著力之量測與分析,並與 濺鍍(Sputtering)製程在PI上形成金屬薄膜之特性 比較,以便對MOD-PI系統作一完整之瞭解.Item type:Item, 多晶片模組之基板製成與晶片接合技術的研究---子計畫III:苯并環丁烯薄膜在矽與鋁上黏著特性之研究(I)(1995) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學工程研究所Item type:Item, 氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究---含奈米微粒之材料的光電特性與應用研究(II)(2006) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG交通大學材料科學與工程系Item type:Item, 氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究---子計畫三:含奈米微粒之材料的光電特性與應用研究(III)(2007) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學與工程學系(所)Item type:Item, 氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究---總計畫(II)(2006) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG交通大學材料科學與工程系Item type:Item, 氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究---總計畫(III)(2007) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG國立交通大學材料科學與工程學系(所)Item type:Item, 氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究-含奈米微粒之材料的光電特性與應用研究(I)(2005) ;謝宗雍 ;HSIEH TSUNG-EONG交通大學材料科學與工程系本計劃研究以上一年期計畫對零維奈米材料之研究成果為基礎,延伸其應用至光記錄 媒體與氧化鋅(ZnO)白光二極體之開發。在光記錄媒體部分,具備高穿透率變化之 奈米硒化鎘(CdSe)與釩氧化物半導體摻雜微晶玻璃(SDG)薄膜之結構與性質將被 最佳化以應用於容積光碟與超解析效應,以無機或有機技術製備零維奈米材料以應用 於新型光開關/遮罩層材料之方法、界面改質、性質最佳化以及含新型材料之光碟製作 與訊號品質分析亦將被研究。氧化鋅白光二極體部分將以能發白光的氧化鋅SDG 薄膜 為基礎,研究內容涵蓋奈米粉體之製作、分散與靶材製作、氧化鋅摻雜技術與磊晶成 長等,所得成果配合白光元件理論之模擬與設計,以完成氧化鋅白光二極體之製作。 期望藉本計畫之執行,能對光資訊產業關鍵性材料與產品技術能有所貢獻,對奈米材 料之應用亦能有所實現。