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    以奈米孔陽極氧化鋁(AAO)版模法製作電子場發射奈米結構材料
    (2009)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    我們擬以自組裝陽極氧化鋁(anodic aluminum oxide, AAO)奈米孔道陣列作為版模，製作 奈米碳管與奈米尖錐等奈米結構材料，藉以研究奈米碳管等奈米結構材料在AAO 中的 生長特性，並開發AAO 版模技術做為奈米材料結構之製作平台。我們將利用以AAO 版模翻印成長的奈米結構材料陣列做為場發射源，研究不同奈米結構的電子場發射特 性，並結合IC 製程技術將AAO 孔道陣列製作於三極體結構中，探討其應用於場發射顯 示技術的可行性。依奈米材料種類與製程結構，我們將研究項目分為(一) 整合AAO 於 場發射三極體(triode)結構內，建立以AAO 版模製作奈米結構電子場發射材料的技術平 台，奈米碳管將是首要的研究對像；(二)在AAO-Triode 成長高品質的CNT 場發射源， 我們將進行CNT 發射源表面污染與AAO 基部-CNT 界面特性研究，藉以改善CNT 的製 程條件，成長高品質的CNT 場發射源；(三)以AAO 版模製作矽奈米尖錐場發射源，並 於其表面沉積高穩定性、低功函數的IrO2 與脈-C 薄膜，探討改質後Si 奈米尖錐場發射 特性。
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    以奈米孔陽極氧化鋁(AAO)版模法製作電子場發射奈米結構材料
    (2008)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    我們擬以自組裝陽極氧化鋁(anodic aluminum oxide, AAO)奈米孔道陣列作為版模，製作 奈米碳管與奈米尖錐等奈米結構材料，藉以研究奈米碳管等奈米結構材料在AAO 中的 生長特性，並開發AAO 版模技術做為奈米材料結構之製作平台。我們將利用以AAO 版模翻印成長的奈米結構材料陣列做為場發射源，研究不同奈米結構的電子場發射特 性，並結合IC 製程技術將AAO 孔道陣列製作於三極體結構中，探討其應用於場發射顯 示技術的可行性。依奈米材料種類與製程結構，我們將研究項目分為(一) 整合AAO 於 場發射三極體(triode)結構內，建立以AAO 版模製作奈米結構電子場發射材料的技術平 台，奈米碳管將是首要的研究對像；(二)在AAO-Triode 成長高品質的CNT 場發射源， 我們將進行CNT 發射源表面污染與AAO 基部-CNT 界面特性研究，藉以改善CNT 的製 程條件，成長高品質的CNT 場發射源；(三)以AAO 版模製作矽奈米尖錐場發射源，並 於其表面沉積高穩定性、低功函數的IrO2 與脈-C 薄膜，探討改質後Si 奈米尖錐場發射 特性。
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    以奈米孔陽極氧化鋁(AAO)版模法製作電子場發射奈米結構材料
    (2007)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    我們擬以自組裝陽極氧化鋁(anodic aluminum oxide, AAO)奈米孔道陣列作為版模，製作 奈米碳管與奈米尖錐等奈米結構材料，藉以研究奈米碳管等奈米結構材料在AAO 中的 生長特性，並開發AAO 版模技術做為奈米材料結構之製作平台。我們將利用以AAO 版模翻印成長的奈米結構材料陣列做為場發射源，研究不同奈米結構的電子場發射特 性，並結合IC 製程技術將AAO 孔道陣列製作於三極體結構中，探討其應用於場發射顯 示技術的可行性。依奈米材料種類與製程結構，我們將研究項目分為(一) 整合AAO 於 場發射三極體(triode)結構內，建立以AAO 版模製作奈米結構電子場發射材料的技術平 台，奈米碳管將是首要的研究對像；(二)在AAO-Triode 成長高品質的CNT 場發射源， 我們將進行CNT 發射源表面污染與AAO 基部-CNT 界面特性研究，藉以改善CNT 的製 程條件，成長高品質的CNT 場發射源；(三)以AAO 版模製作矽奈米尖錐場發射源，並 於其表面沉積高穩定性、低功函數的IrO2 與-C 薄膜，探討改質後Si 奈米尖錐場發射 特性。
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    以自組裝奈米孔洞SiO/sub 2/作為次70 nm IC技術之超低介電薄膜之應用研究(III)
    (2005)
    潘扶民
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    交通大學材料科學與工程系
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    以自組裝奈米孔洞SiO2作為次70 nm IC技術之超低介電薄膜之應用研究(II)
    (2004)
    潘扶民
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    交通大學材料科學與工程系
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    活性濺鍍氧化鈀奈米片薄膜及低溫CO氣體感測器應用研究
    (2011)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
    在本申請研究計劃擬利用活性濺鍍沉積法製作PdO 奈米片結構薄膜，研究PdO 奈米片 結構薄膜成長機制，並進行PdO 奈米片薄膜在低溫CO 氣體感測器(gas sensor)的應用。 在PdO 奈米片薄膜製備與成長機制研究項目裡，申請人將調變PdO 薄膜製程參數，觀 察奈米片晶粒成長演化，推導PdO 奈米片薄膜成長機制；並將開發PdO 奈米薄片薄膜 沉積在軟性材料基板的製程方法；我們亦將嘗試開發TO2，ZnO，WO3 等奈米片薄膜製 程研究。在CO 氣體感測研究項目裡，我們會進行CO 吸附在PdO 奈米片表面化學態分 析，研究其與CO 氣體感測性能的關聯性；此外我們將嘗試進行光輔助CO 氣體感測研 究，藉由PdO 對可見光與子外光靈敏的光感應，改變CO 在PdO 表面的吸附行為，進 而調變PdO 對CO 的感測效能；我們亦會利用光催化與熱氧化方法促使PdO 回復對CO 的感測能力。
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    活性濺鍍氧化鈀奈米片薄膜及低溫CO氣體感測器應用研究
    (2010)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
    在本申請研究計劃擬利用活性濺鍍沉積法製作PdO 奈米片結構薄膜，研究PdO 奈米片 結構薄膜成長機制，並進行PdO 奈米片薄膜在低溫CO 氣體感測器(gas sensor)的應用。 在PdO 奈米片薄膜製備與成長機制研究項目裡，申請人將調變PdO 薄膜製程參數，觀 察奈米片晶粒成長演化，推導PdO 奈米片薄膜成長機制；並將開發PdO 奈米薄片薄膜 沉積在軟性材料基板的製程方法；我們亦將嘗試開發TO2，ZnO，WO3 等奈米片薄膜製 程研究。在CO 氣體感測研究項目裡，我們會進行CO 吸附在PdO 奈米片表面化學態分 析，研究其與CO 氣體感測性能的關聯性；此外我們將嘗試進行光輔助CO 氣體感測研 究，藉由PdO 對可見光與子外光靈敏的光感應，改變CO 在PdO 表面的吸附行為，進 而調變PdO 對CO 的感測效能；我們亦會利用光催化與熱氧化方法促使PdO 回復對CO 的感測能力。
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    活性濺鍍氧化鈀奈米片薄膜及低溫CO氣體感測器應用研究
    (2012)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
    在本申請研究計劃擬利用活性濺鍍沉積法製作PdO 奈米片結構薄膜，研究PdO 奈米片 結構薄膜成長機制，並進行PdO 奈米片薄膜在低溫CO 氣體感測器(gas sensor)的應用。 在PdO 奈米片薄膜製備與成長機制研究項目裡，申請人將調變PdO 薄膜製程參數，觀 察奈米片晶粒成長演化，推導PdO 奈米片薄膜成長機制；並將開發PdO 奈米薄片薄膜 沉積在軟性材料基板的製程方法；我們亦將嘗試開發TO2，ZnO，WO3 等奈米片薄膜製 程研究。在CO 氣體感測研究項目裡，我們會進行CO 吸附在PdO 奈米片表面化學態分 析，研究其與CO 氣體感測性能的關聯性；此外我們將嘗試進行光輔助CO 氣體感測研 究，藉由PdO 對可見光與子外光靈敏的光感應，改變CO 在PdO 表面的吸附行為，進 而調變PdO 對CO 的感測效能；我們亦會利用光催化與熱氧化方法促使PdO 回復對CO 的感測能力。
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    矽晶圓高效減廢超洗淨技術研究
    (1999)
    潘扶民
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    國立交通大學毫微米實驗室
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    金屬氫化法製作奈米裂隙 --- 表面傳導電子發射顯示技術應用
    (2010)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
    我們擬利用鈀(Pd)金屬氫化(palladium hydrogenation)法在Pd 電極上產生奈米裂隙 場發射結構，製作出表面傳導電子發射(surface conductive electron emission，SCE)元件， 探討其於表面傳導電子場發射平面顯示器技術(surface conduction electron emitter display，SED ) 的應用。當氫氣溶入Pd 金屬薄膜後，造成材料體積的增加，產生應變， 導致薄膜斷裂，於是形成了奈米裂隙，裂隙寬度及均勻性與SCE 元件結構設計、氫化 溫度與氫氣壓力有密切關係。本計畫的研究重點內容簡述如下： (一) SCE 元件的製程 步驟相當簡單，利用鍍膜，lift-off 微影與氫化製程便可在SCE 元件上形成奈米尺度的 場發射裂隙，但必須適當設計SCE 元件內Pd 電極薄膜結構與控制氫化條件，我們除 設計製作SCE 元件結構，並將探討最佳化的氫化條件，以形成適當的場發射奈米裂隙。 (二) SED 的顯像效能取決發射自閘極的電子數量，表面物化特性會顯著影響電子發射 效率，我們將進行Pd 電極表面改質，提升電子發射效率，如沉積非晶質碳與氧化銥披 覆層於Pd 電極上。(三)為了達成前兩項工作目標，我們將利用電腦模擬SCE 元件Pd 薄膜電極在氫化條件下的應力分佈，及閘極散射電子的發射軌跡，做為SCE 元件結構 設計與製程的參考。(四)為了探討氫化SCE 元件實際應用於SED 顯示器技術的可行 性，我們將進行SCE 元件的電性量測，點亮測試與可靠性研究。
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    金屬氫化法製作奈米裂隙---表面傳導電子發射顯示技術應用
    (2009)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    我們擬利用鈀(Pd)金屬氫化(palladium hydrogenation)法在Pd 電極上產生奈米裂隙 場發射結構，製作出表面傳導電子發射(surface conductive electron emission，SCE)元件， 探討其於表面傳導電子場發射平面顯示器技術(surface conduction electron emitter display，SED ) 的應用。當氫氣溶入Pd 金屬薄膜後，造成材料體積的增加，產生應變， 導致薄膜斷裂，於是形成了奈米裂隙，裂隙寬度及均勻性與SCE 元件結構設計、氫化 溫度與氫氣壓力有密切關係。本計畫的研究重點內容簡述如下： (一) SCE 元件的製程 步驟相當簡單，利用鍍膜，lift-off 微影與氫化製程便可在SCE 元件上形成奈米尺度的 場發射裂隙，但必須適當設計SCE 元件內Pd 電極薄膜結構與控制氫化條件，我們除 設計製作SCE 元件結構，並將探討最佳化的氫化條件，以形成適當的場發射奈米裂隙。 (二) SED 的顯像效能取決發射自閘極的電子數量，表面物化特性會顯著影響電子發射 效率，我們將進行Pd 電極表面改質，提升電子發射效率，如沉積非晶質碳與氧化銥披 覆層於Pd 電極上。(三)為了達成前兩項工作目標，我們將利用電腦模擬SCE 元件Pd 薄膜電極在氫化條件下的應力分佈，及閘極散射電子的發射軌跡，做為SCE 元件結構 設計與製程的參考。(四)為了探討氫化SCE 元件實際應用於SED 顯示器技術的可行 性，我們將進行SCE 元件的電性量測，點亮測試與可靠性研究。
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    金屬氫化法製作奈米裂隙---表面傳導電子發射顯示技術應用
    (2008)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    我們擬利用鈀(Pd)金屬氫化(palladium hydrogenation)法在Pd 電極上產生奈米裂隙 場發射結構，製作出表面傳導電子發射(surface conductive electron emission，SCE)元件， 探討其於表面傳導電子場發射平面顯示器技術(surface conduction electron emitter display，SED ) 的應用。當氫氣溶入Pd 金屬薄膜後，造成材料體積的增加，產生應變， 導致薄膜斷裂，於是形成了奈米裂隙，裂隙寬度及均勻性與SCE 元件結構設計、氫化 溫度與氫氣壓力有密切關係。本計畫的研究重點內容簡述如下： (一) SCE 元件的製程 步驟相當簡單，利用鍍膜，lift-off 微影與氫化製程便可在SCE 元件上形成奈米尺度的 場發射裂隙，但必須適當設計SCE 元件內Pd 電極薄膜結構與控制氫化條件，我們除 設計製作SCE 元件結構，並將探討最佳化的氫化條件，以形成適當的場發射奈米裂隙。 (二) SED 的顯像效能取決發射自閘極的電子數量，表面物化特性會顯著影響電子發射 效率，我們將進行Pd 電極表面改質，提升電子發射效率，如沉積非晶質碳與氧化銥披 覆層於Pd 電極上。(三)為了達成前兩項工作目標，我們將利用電腦模擬SCE 元件Pd 薄膜電極在氫化條件下的應力分佈，及閘極散射電子的發射軌跡，做為SCE 元件結構 設計與製程的參考。(四)為了探討氫化SCE 元件實際應用於SED 顯示器技術的可行 性，我們將進行SCE 元件的電性量測，點亮測試與可靠性研究。
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    電漿輔助原子層化學氣相沉積在銅連線結構之多孔性超低介電層之製程整合應用研究(I)
    (2006)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    交通大學材料科學與工程系
    奈米孔洞介電材料逐漸普遍地被認為是次65 nm 技術所需的ultralow-k 介電材料，然而 其多孔洞特性所衍生諸多與銅製程整合的困難，如蝕刻、洗淨、化學機械研磨等，尚 未有明顯的解決方案；若能就多孔性介電材料進行化性與物性的改質，封閉表層孔洞， 或改良現行銅製程條件與方式或連線結構，將可降低奈米孔薄膜在整合應用上的困難 度。我們在此研究計畫申請案中，擬在未來三年內，利用電漿增強-原子層化學氣相沉 積(plasma-enhanced atomic-layer chemical vapor deposition, PE-ALCVD)技術，進行對奈 米孔洞二氧化矽(np-SiO2) ultralow-k 薄膜材料在銅雙鑲嵌(dualdamascene)結構製程的整 合研究。藉著對np-SiO2 薄膜的改質，包括增強疏水性與機械強度與進行孔洞封合處 理，並開發最佳化的PE-ALCVD 的沉積製程條件，以增強np-SiO2 介電薄膜與Cu 擴散 阻障層及晶種層超薄薄膜與的相容性，以驗證np-SiO2 薄膜在銅金屬連線製程技術的可 行性。未來的研究工作，我們的研究內容將分為以下六項重點：(一) np-SiO2 薄膜乾式 蝕刻製程研究。(二) 蝕刻後O3 氧化法移除模板分子之製程可行性研究。(三) np-SiO2 薄膜孔洞封合研究。(四) 以PE-ALCVD 製備Cu/Ta/TaNx (Cu/WNC)超薄薄膜疊層與鑲 嵌結構研究。(五) PE-ALCVD Cu 與np-SiO2 疊層鑲嵌結構之銅電鍍研究。(六) Cu/Ta/TaNx/np-SiO2 (Cu/WNC/ np-SiO2)鑲嵌結構之化學機械研磨(CMP)製程研究。
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    非晶質硒應用於雪崩式倍增光感測器之研究
    (2014)
    潘扶民
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    非晶質硒應用於雪崩式倍增光感測器之研究
    (2016)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    非晶質硒應用於雪崩式倍增光感測器之研究
    (2015)
    潘扶民
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    PAN FU-MING
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    高CO選擇比之PdO奈米片薄膜低溫氣體感測技術應用研究
    (2014)
    潘扶民
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    高CO選擇比之PdO奈米片薄膜低溫氣體感測技術應用研究
    (2013)
    潘扶民
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）