Browsing by Author "WEI-KUOCHEN"
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Item type:Item, AlAsSb/InGaAs/AlAsSb共振穿隧二極體穿隧電流之研究(1994) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理研究所Item type:Item, AlAsSb單能障結構穿隧電流之負電阻效應研究(1996) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性---子計畫二:GaN類半導體材料及物理結構之光性研究(I)(1996) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫二:GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與物理特性之研究(II)(1998) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理系Item type:Item, 三五族氮化物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫II:GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與特性研究(III)(1999) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理系Item type:Item, 微結構之顯微電性量測(I)(2003) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 微結構之顯微電性量測(II)(2004) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理系Item type:Item, 微結構之顯微電性量測(III)(2005) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理系Item type:Item, 斷能隙N型GaAsb/P型InAs異質結構載子傳輸效應之研究(1997) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理系Item type:Item, 氮化銦鎵和氮砷化鎵三元化合物薄膜製備及光電物理性質研究(2000) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理系Item type:Item, 氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫I:氮化物藍光波段元件結構磊晶研究(II)(2000) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理系Item type:Item, 氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫一:氮化物藍光波段元件結構磊晶研究(2000) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 氮銦化鎵/氮化鎵量子井及量子點結構製備及光電物理性質研究(2000) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 磷化銦系列含銻化合物薄膜磊晶研究(1993) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理研究所InP半導體是長途光纖通信最重要的材料,再加 上其極佳的電子特性,早已廣泛應用於各種光電 元件及高速微波元件上.然而長期以來,InP材料 Schottky特性普遍較差限制了Schottky元件的研製,常 因為能階不易連續調整,斜面能階(Graded Bandgap)無法設計,使得元件的功能未能全部發揮,阻礙了InP 元件進一步的發展.為了改善上述缺點,我們發現 同屬InP材料系列的AlGaAsSb極具有潛力成為新興重 要的化合物材料.AlGaAsSb具有特殊的能階結構,其能帶寬自0.72eV一直 延伸至2.39eV;從綠光到紅外線,涵蓋了大部份光電 元件使用的頻譜範圍.其與InGaAs的異質能階結構 又可隨著相互組成的改變,逐漸由Type I轉變成Type II,豐富的能階變化,使得元件不再受到傳統Type I 能階限制,更激勵出許多嶄新元件的開發.以Type II 電子,電洞在空間分離的能階連結,近年來已是紅 外線元件熱門的研究主題.而懸殊的.DELTA. Ec(1.74eV ), .DELTA. Ev(0.11eV)差異,極高的離化率(Impact Ionization)數值,更是累增崩潰式光檢器,共振穿隧 式電晶體等元件不可多得的材料.我們相信AlGaAsSb 的特性本質,將會帶給InP元件全新的面貌.若以磊晶觀點而言,AlGaAsSb磊晶極有可能與AlGaAs磊 晶簡易程度相似,只要改變少許參數,就能達到與 基座晶片(InP)自然晶格匹配的薄膜.AlGaAsSb與InP晶 格匹配的三元化合物GaAs/sub 0.5/Sb/sub 0.5/,AlAs/sub 0.52/ Sb/sub 0.48/其V族成份比例極為接近.再者銻化 合物磊晶時V/III比例極低,As/Sb氣體莫耳流量也相 去不遠,薄膜組成較易控制.且依Vegard law推測,與 InP晶格匹配的四元化合物V族成份比例應幾近維 持不變.所以在適當的磊晶條件,受到磊晶latching effect的影響,可能只要調整Al/Ga流量,便可連續調 整不同的能階,滿足各種元件能階不同的需要.Item type:Item, 磷化銦面射型雷射相關問題研究(1993) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理學系InP材料是長程光纖通信最重要的光電半導體材 料.InP面射型雷射更由於其具有製造過程的簡易, 單模操作的特性,高光纖耦合效率,高速迅號調制 的優點,咸信將會取代傳統邊射型雷射,逐漸在一 般通訊系統及光電設備佔有一席之地.除此之外, InP面射型雷射因InP基座材料可以完全透光( TransparentSubstrate),相當低的表面復合速率(Surface Recombination Velocity),適用於平面化面射型雷射的設 計以及未來大型光電積體電路化的需求.目前InP面射型雷射的研究大都採用InGaAsP/InP為主 要材料由於其鏡厚過厚(.sim. 10 □m),串聯電阻過 高(.sim. k .OMEGA. ,阻礙了其進一步的發展.本計畫 擬採用AlAs/sub 0.52/ Sb/sub 0.48/ /In/sub0.53/ Ga/sub 0.47 / As為雷射反射鏡,其不僅鏡厚較薄(.sim. 3□m),更 因其具有相當低的電洞能障( EV .apprxeq. 0.11eV),可 以有效提升幾近10,000倍熱射電流,大幅降低串聯 電阻至數歐姆的理想數值.使得InP面射型雷射進 入具體可行的階段.所以計畫初期研究的目標將 擺在降低串聯電阻的相關研究.Item type:Item, 磷化銦高能隙材料能障研究(1995) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN國立交通大學電子物理研究所本計畫擬以AlAsSb/InP結構,提昇InP材料肖特基 能障.長久以來InP因本身與金屬介面的費米能 階針扎效應(Fermi-pinning)造成能障過低,致使其 肖特基元件性能不佳.一般而言,較高能隙常較 易獲得較高的肖特基能障.而AlAsSb是InP材料系 列中最高能隙半導體,若以AlAsSb作為金屬與半 導體之中介層,應可有效提昇InP肖特基特性. AlAsSb雖屬熱力學晶體禁制區材料(Miscibillity gap) ,磊晶條件狹窄,但本實驗室已成功以MOCVD合成AlAsSb薄膜.在計畫過程中,將深入探討如何降低 薄膜背景濃度,尤其是AlAsSb表面清洗技術,事關 Schottky特性之良寙,以及適合的肖特基金屬蒸鍍 材料,以尋求適當的InP肖特基結構.Item type:Item, 等價位氮化物元件結構製備與相關物理特性研究(I)(2001) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 等價位氮化物元件結構製備與相關物理特性研究(II)(2002) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理系Item type:Item, 藍光半導體雷射立方體氮化鎵材料之製備與研究(1998) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN交通大學電子物理系Item type:Item, 遠紅外線帶通濾光器研製(1996) ;陳衛國 ;WEI-KUOCHEN國立交通大學應用化學系