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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 CHANG, CY
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顯示 23 到 42 筆資料,總共 160 筆
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公開日期
標題
作者
15-六月-1995
CALCULATION OF THE STRUCTURAL DEPENDENCE OF INFRARED-ABSORPTION IN P-TYPE STRAINED-LAYER SIGE/SI QUANTUM-WELLS
LIOU, TS
;
WANG, TH
;
CHANG, CY
;
交大名義發表
;
電子工程學系及電子研究所
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-六月-1993
CARBON INCORPORATION DURING GROWTH OF GAAS BY TEGA-ASH3 BASE LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CHEN, HD
;
CHANG, CY
;
LIN, KC
;
CHAN, SH
;
FENG, MS
;
CHEN, PA
;
WU, CC
;
JUANG, FY
;
材料科學與工程學系
;
電控工程研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-十月-1993
CARRIER-INDUCED ENERGY SHIFT IN GAAS/ALGAAS MULTIPLE-QUANTUM-WELL LASER-DIODES
CHEN, PA
;
JUANG, C
;
CHANG, CY
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
15-六月-1994
CATION SOURCE DEPENDENCE OF GA0.5IN0.5P GROWTH-RATE BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
WU, JW
;
CHANG, CY
;
LIN, KC
;
CHAN, SH
;
CHEN, HD
;
CHEN, PA
;
CHANG, EY
;
KUO, MS
;
材料科學與工程學系
;
電控工程研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-二月-1995
CHARACTERISTICS OF BORON-DIFFUSION IN POLYSILICON SILICON SYSTEMS WITH A THIN SI-B LAYER AS DIFFUSION SOURCE
CHEN, TP
;
LEI, TF
;
LIN, HC
;
CHANG, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
8-五月-1995
CHARACTERISTICS OF GRADED-LIKE MULTIPLE-DELTA-DOPED GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
KAO, MJ
;
HSU, WC
;
HSU, RT
;
WU, YH
;
LIN, TY
;
CHANG, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
15-八月-1993
CHARACTERISTICS OF LOW-TEMPERATURE AND LOW-ENERGY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITED SIO2
HSIEH, SW
;
CHANG, CY
;
HSU, SC
;
電子物理學系
;
電控工程研究所
;
Department of Electrophysics
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-十二月-1995
CHARACTERISTICS OF POLYCRYSTALLINE FILMS GROWN BY ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION SYSTEM
LIN, HY
;
LEI, TF
;
LIN, HC
;
CHANG, CY
;
TWU, RC
;
DENG, RC
;
LIN, JD
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
20-八月-1990
CHARACTERIZATION OF A GAAS CURRENT-CONTROLLED BIPOLAR-UNIPOLAR TRANSITION NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE TRANSISTOR
YARN, KF
;
WANG, YH
;
CHANG, CY
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-二月-1991
CHARACTERIZATION OF IMPROVED ALGAAS/GAAS RESONANT TUNNELING HETEROSTRUCTURE BIPOLAR-TRANSISTORS
WU, JS
;
CHANG, CY
;
LEE, CP
;
CHANG, KH
;
LIU, DG
;
LIOU, DC
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-四月-1994
CHARACTERIZATION OF SI/SIGE STRAINED-LAYER SUPERLATTICES GROWN BY AN ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION TECHNIQUE
CHANG, TC
;
CHANG, CY
;
JUNG, TG
;
TSAI, WC
;
HUANG, GW
;
WANG, PJ
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
15-十月-1994
CHARACTERIZATION OF THE SI/SIGE HETEROJUNCTION DIODE GROWN BY ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
JUNG, TG
;
CHANG, CY
;
LIU, CS
;
CHANG, TC
;
LIN, HC
;
TSAI, WC
;
HUANG, GW
;
CHEN, LP
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-九月-1993
CHARGE LOSS DUE TO AC PROGRAM DISTURBANCE STRESSES IN EPROMS
LIN, JK
;
CHANG, CY
;
WANG, TH
;
HUANG, HS
;
CHEN, KL
;
HO, TS
;
KO, J
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-十二月-1995
A COMPREHENSIVE STUDY OF SUPPRESSION OF BORON PENETRATION BY AMORPHOUS-SI GATE IN P+-GATE PMOS DEVICES
LIN, CY
;
JUAN, KC
;
CHANG, CY
;
PAN, FM
;
CHOU, PF
;
HUNG, SF
;
CHEN, LJ
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
15-十二月-1993
COMPRESSIVE AND TENSILE STRAIN EFFECTS ON HOLE TUNNELING IN AN INGAAS/ALLNAS ASYMMETRICAL COUPLED-QUANTUM-WELL
CHEN, PA
;
CHANG, CY
;
JUANG, C
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-二月-1995
CONTROL OF AS PRECIPITATION IN LOW-TEMPERATURE GAAS BY ELECTRONIC AND ISOELECTRONIC DELTA-DOPING
CHENG, TM
;
CHANG, CY
;
HUANG, JH
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
14-十月-1993
CURRENT GAINS OF ALAS/GAAS TUNNELING EMITTER BIPOLAR-TRANSISTORS WITH 25-500-ANGSTROM BARRIER THICKNESS
CHEN, HR
;
LEE, CP
;
CHANG, CY
;
TSAI, KL
;
TSANG, JS
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-五月-1990
CURRENT-INJECTION 3-TERMINAL GAAS REGENERATIVE SWITCHES
WANG, YH
;
YARN, KF
;
CHANG, CY
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-六月-1991
THE DELTA-DOPED IN0.25GA0.75AS/GAAS PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURES PREPARED BY LOW-PRESSURE METAL ORGANIC-CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
CHANG, CY
;
LIN, W
;
HSU, WC
;
WU, TS
;
CHANG, SZ
;
WANG, C
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
7-二月-1994
DEPOSITION OF IN-SITU BORON-DOPED POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS AT REDUCED PRESSURES
LIN, HC
;
LIN, HY
;
CHANG, CY
;
LEI, TF
;
WANG, PJ
;
DENG, RC
;
LIN, JD
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering